A Intel anunciou hoje (28) mudanças no modo de fabricação de seus chips e a transição de sua linha de produção de processadores de 65 nanômetros para 45 nm já em 2007.

A grande questão é o prazo com que a Intel conseguiu fazer isso: em dois anos – mantendo “viva” a Lei de Moore (que, entre outras coisas, diz que o número de transistores em um chip dobra a cada dois anos) e provavelmente deixando a concorrência irritada com a novidade, já que a Intel conseguiu manter os curtos prazos de transição. A AMD ainda está  em processo de mudança para 65 nm. A Intel migrou os processos de fabricação de 130 nanômetros para 90 nm em 2003, dos 90 nm para 65 nm em 2005 e já prevê mudar dos 45 nm para 32 nm em 2009 (e deste para 22 nm em 2011).

A Intel começa a fabricar os chips de 45 nm (codinome Penryn) no segundo semestre de 2007 e diz já ter cinco versões iniciais desses produtos em funcionamento. Os chips Penryn farão parte das linhas de produtos atuais da companhia, como Core 2 Duo, Core 2 Quad e Xeon.

Na área de pesquisa e desenvolvimento, a principal novidade da Intel é o modo como os chips de 45 nm serão fabricados. Eles serão feitos com novos materiais descobertos pela Intel que reduzem a dissipação de energia do transistor e aumentam a capacidade de desempenho. Em um breve resumo, os novos materiais descobertos a serem usados no transistor substituem tecnologias usadas desde o final da década de 60. Sai a porta dielétrica de dióxido de silício, entra a porta dielétrica high-K combinada a uma porta de metal, que substitui a porta de polisilício no transistor. Tudo isso ocorre em escala microscópica. Segundo a Intel, 400 transistores de 45 nm cabem em uma única célula de sangue humano. Um chip Penryn dual-core terá aproximadamente 410 milhões de transistores, e um quad- core, 820 milhões de transistores.

A Intel acredita que nenhuma outra companhia conseguiu ser bem-sucedida (além dela, que mostrou os primeiros resultados dessa pesquisa em 2003) com a transição nos transistores (high-K+porta de metal) até o momento e que isso deve acontecer na geração de 32 nm ou até mais tarde.